.
.
.
ON Semiconductor Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5 A 700mW Surface Mount SuperSOT-6 (Pack of 3000) (FDC6318P)
BGN 58.40
На склад
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12
V 2.5 A 700m
W Surface Mount Super
SOT-6
Product Спецификация : Категория : - Дискретни полупроводникови продукти, транзистори - FETS, MOSFETs - Arrays
Mfr : - ON Semiconductor
Series : - Power
Trench
Package : - Tape and ; Reel (TR)
Cut Лента (CT)
Digi-Reel
Part Статус : - Тип Active
FET : - 2 P-Channel (Dual)bobi fifi Характеристика : - Логично ниво Gate
Drain към източник на напрежение (Vdss) : - 12
VCurrent - Постоянен състав (Id) @ 25°C : - 2.5 ARds On (Max) @ Id, Vgs : - 90m
Ohm @ 2.5 A, 4.5 VVgs(th) (Max) @ Id : - 1.5 V @ 250
AGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : - 8n
C @ 4.5 VInput Capacity (Ciss) (Max) @ Vds : - 455p
F @ 6
VPower - Max : - 700m
WOperating Temperature : - -55°C ~ 150°C (TJ)Вид на инсталацията : - Повърхностно монтированиепакет / калъф : - SOT-23-6 Тънък, TSOT-23-6поддержка Осъществяване на устройството : - Super
SOT-6
Base Номер на продукта : - FDC6318
Ro
HS Статус : ROHS3 compliant Ниво на чувствителност moisture (MSL) : - 1 (неограничен)
REACH Състояние : - REACH Unaffected
ECCN : - EAR99
HTSUS : - 8541.21.0095.
Характеристики
Продукти в категория
Динамичен рейтинг dv / dt Работна температура 175°C Бързо превключване.Простотата на паралелната.Основните
Име на продукта : Тегло транзистор;Модел : MUR1560 T.Вид на опаковката : TO220;Напрежение колекторемитер : 600 V.То�
Тип на канала : Двойна Nканал.Voltage Drainto Source : 30 V Drainsource On ResistanceMax : 100 mΩ.Qg Gate Charge : 3.9 нк.Rated Power Dissipation(P) : 1.25 W...
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �
Име на продукта : MOSFET;Номер на модела : IRF740 Тип на канала : N канал;Напрежение на източника на изтичане : 400 V
NChannel 6 A (Tj) 31 W (Tc) Through Hole TO2203 Full Pack Product Спецификация : Категория : Дискретни полупроводникови продукти, тр�
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �
Добре дошли в Шенжен Zhensheng Technology Co., Ltd.Нашите продукти изпратени от Китай, и ние ще носи товара.Ние можем �
MiZOELEC 10шт IRF630 IRF630N IRF630NPBF 200V Mosfet 9.3 A N-Channel TO-220 Мощност MOSFET Транзистор
BGN 7.28
Оригинален IRF630 N, качеството е абсолютно найдоброто.Напрежение на балотажизточник (Vdss) : 200 V.Непрекъснат
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �
NChannel 3 A (Tc) 2.5 W (Ta), 37 W (Tc) Through Hole IPAKProduct Спецификация : Категория : Дискретни полупроводникови продукти, тра
NChannel 36 A (Tc) 165 W (Tc) Through Hole TO3 PFProduct Спецификация : Категория : Дискретни полупроводникови продукти, транзис
Спецификация : Осигурява отлична електрическа изолация и отлична топлопроводимост.Топлопроводимост : 2
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �
Спецификация на продукта : Категория : Дискретни полупроводникови продукти, транзистори FETs, MOSFETs Single Mfr
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �
Тип на канала : Двоен канал N & P Voltage Drainto Source : 30 / 30 V Drainsource On ResistanceMax : 0.05 / 0.07 Ω.Qg Gate Charge : 12.2 / 15.8 нк.Rated Power Di
Име на продукта : MOSFET;Номер на модела : STP11 NK50 ZFP.Тип на канала : Nканал;Напрежение на източника на изтичане
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �
Спецификация на продукта : Категория : Дискретни полупроводникови продукти, транзистори FETS, MOSFETs Single Mfr
NChannel 5.8 A (Tc) 158 W (Tc) Through Hole TO2203 Product Спецификация : Category : Discrete Semiconductor Products, Transistors FETs, MOSFETs Single Mfr : Fairchild Semicon
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �
Mfr : Fairchild Semiconductor.Серия : *.Опаковка : В Насипно Състояние.Статус на детайли : Активна.Технически характе
Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �
Име на продукта : PNP транзистор;Модел : S9012 Опаковка : TO92;Основно напрежение колектор : 40 Век Ток колектор :
Име на продукта : SMDTransistor;Модел : C1815;Вид на опаковката : SOT23 Напрежение колекторбаза : 60В;Напрежение емите�
Добра честотна характеристика.Висока скорост на превключване.Широка област на безопасна експлоатация.
NChannel 44 A (Tc) 130 W (Tc) Through Hole TO3 PFProduct Спецификация : Категория : Дискретни полупроводникови продукти, транзис
Име на продукта : NPN транзистор;Номер на модела : HFA08 TB60;Монтирани Тип : Градския дупка.Mailto : TO220 AC;VR : 600;IRRM : 5